光刻胶_半导体材料_苏州瑬芯半导体科技有限公司

半导体材料 — 光刻胶

产品名称

电子束光刻胶、宽带厚胶、紫外光刻薄胶、纳米压印胶、聚酰亚胺光刻胶

数据参数

类型	光刻胶型号	适用光谱	厚度范围/um	分辨率	适用工艺
紫外光刻胶-薄胶	S1800系列	g-Line, broad line	0.5-3.5	0.5um	正性光刻胶，稳定性好;适用于分辨率要求较高的光刻工艺
	AZ5214	g/h/i-Line	1-2um	0.5um	反转胶
	BCI-3511	i-Line	0.5-2	0.5um	正性i线光刻胶，适用于各类接触式光刻机(maskaligner)，stepper
	SPR955	i-Line	0.5-3.5	0.35um	正性i线光刻胶，适用于分辨率要求较高的湿法腐蚀和干法刻蚀
	AZ 1500	g/h/i-Line	0.5-5	1um	正性光刻胶，广泛应用于半导体制造
宽带厚胶	SU-8 10系列	g/h/i-Line	0.1-200	0.5um	负性环氧类化学放大光刻胶，具有高深宽比，光刻后可以达到非常好的陡直度.
	导电SU-8（GCM3060）	g/h/i-Line	1-50	0.5um	负性环氧类光刻胶；可导电、粘合性较好，图层应力降低
	SPR220	g/h/i-Line	1—30	1um	正性光刻胶，用于MEMS和Bump工艺
	NR26-25000P	g/h/i-Line	20-130		负性光刻胶，适用于各类接触式光刻机（mask aligner）、stepper、scanner
	AZ P4620	g/h/i-Line	6—20	1um	正性光刻胶
电子束光刻胶	HSQXR-1541-006	EB	85nm~180nm	6nm	极佳分辨率负胶，抗刻蚀
	Z520		0.05-1	10-50nm	高分辨率电子束正胶,抗刻蚀
	PMMA		电子束正胶
	EBL 6000系列		0.1-0.5	50nm	负性电子束光刻胶
	ma-N2400系列		0.1-1.5	30nm	负性电子束光刻胶
纳米压印胶	mr-NIL 6000E	热固化和UV固化	0.1-1	50nm	可用于纳米图形的制造、刻蚀、多层系统等
	mr-I 9000M	热固化	0.1-1	50nm
	mr-UVCur21	UV固化	0.1-5	50nm
光固化胶	Ormo系列	g/h/i-Line	0.1-300	50nm	适用于制造光栅、微型镜片、光耦合器和连接器等

半导体材料

半导体材料 — 光刻胶

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